SSD 2.5" SATA 256GB Timetec SD07 330TT253X2-256G N/D
- Alto Rendimiento SATA III: Velocidades secuenciales de lectura de hasta 550 MB/sy escritura de hasta 500 MB/s para arranques rápidos y respuesta fluida de aplicaciones.
- Tecnología 3D NAND Flash: Ofrece mayor densidad de almacenamiento, eficiencia energética optimizada y confiabilidad extendida frente a unidades planas tradicionales.
- Diseño Ultrafino de 7 mm: Factor de forma estándar de 2.5" compatible con una amplia gama de laptops delgadas y computadoras de escritorio.
- Mantenimiento y Longevidad Integrados: Compatible con comando TRIM, recolector de basura, algoritmo de nivelación de desgaste (Wear Leveling) y corrección de errores ECC.
- Alta Capacidad de Resistencia: Ofrece una resistencia de 200 TBW (Terabytes Escritos) y un tiempo medio entre fallas (MTTF) de 1,5 millones de horas.
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Categoría del producto de sitio web:
Marcas / Timetec, Almacenamiento / Disco SSD / Interno
Código Producto:
SYC-00023295
El SSD Timetec SD07 de 256 GB está diseñado para revitalizar el rendimiento de computadoras de escritorio y portátiles compatibles con la interfaz SATA III de 6 Gb/s. Construido con tecnología 3D NAND Flash, este almacenamiento de estado sólido alcanza velocidades de lectura secuencial de hasta 550 MB/sy escritura de hasta 500 MB/s, siendo hasta 4 veces más rápido que un disco duro mecánico tradicional. Su factor de forma delgada de 2,5 pulgadas con 7 mm de grosor permite una integración sencilla en sistemas ultra delgados. Incorpora tecnologías avanzadas de gestión de datos como comando TRIM, monitoreo SMART, recolección de basura, nivelación de desgaste (Wear Leveling) y corrección de errores (ECC), garantizando durabilidad con una calificación de hasta 200 TBW y un MTTF de 1.500.000 horas.
Especificaciones
| Marca y Modelo | Timetec SD07 |
| Número de Parte | 330TT253X2-256G |
| Capacidad | 256 GB |
| Factor de Forma | 2.5 pulgadas (7 mm de grosor) |
| Interfaz | SATA III 6.0 Gb/s (compatible con SATA II) |
| Tecnología NAND | Memoria flash NAND 3D |
| Velocidad de Lectura Secuencial | Hasta 550 MB/s |
| Velocidad de escritura secuencial | Hasta 500 MB/s |
| Memoria caché DRAM | No (sin DRAM) |
| Resistencia (TBW) | 200 TBW |
| Tiempo Medio de Falla (MTTF/MTBF) | 1.500.000 horas |
| Tecnologías Soportadas | SMART, TRIM, Recogida de basura, Nivelación de desgaste, ECC |
| Voltaje de Operación | CC 3,3 V |
| Temperatura de Operación | 0 °C ~ 70 °C |
| Temperatura de Almacenamiento | -25 °C ~ 85 °C |
